電子器件制造裝置用高純炭素制品

電子器件制造裝置用高純炭素制品電子器件制造裝置用高純炭素制品

生產以記憶芯片為代表的電子器件，要經過多種處理工藝。圖所示為有關形成電子器件回路的硅片處理工序。

硅片外延處理工序。在此工序中，以硅片為基板，在其表面生成同樣的硅單晶的同時，通過摻加不純物而形成p型層或n型層。外延工藝一般以CVD法(化學氣相沉淀)為主流。其裝置的概略如圖所示。工藝流程為，用氟酸將硅片清洗，干燥后，貼置于基座上，然后加熱升溫，通入鹽酸除去硅片表面的氧化層，生成外延層。基座要求選擇具有不能伴有金屬污染、耐高溫及耐鹽酸腐蝕、不與硅反應、沒有氣體發生等特性的材料。作為能滿足這些要求的材

料，一般使用以高純炭素制品為基材，通過CVD法在基材表面進行高純SiC涂層的基座。

氧化、擴散工序。對于硅材料器件而言，這個工序是形成絕緣膜的最重要的工序。形成絕緣膜的方法有高溫氧化法和CVD法。在單體處理式的等離子體CVD方法中，高純炭素制品既是等離子體的放電電極，也是硅片的支撐板。其裝置概略如圖所示。這里所使用的材料，同樣要求不能使用中伴有金屬污染，而且需具有誘發等離子發生的導電性，以及對反應氣體、電極板清洗氣體的抗腐蝕性。為了解決石墨內部微量不純物的發生問題，有時也使用在表面進行玻璃炭涂層或熱分解涂層，或者浸漬的炭素制品。現在，單體式裝置正在逐步減少，而代之以枚葉式裝置。